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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NDC632P
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RFQ
1,254
有现货
ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6 - Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SuperSOT™-6 1.6W (Ta) P-Channel - 20V 2.7A (Ta) 140 mOhm @ 2.7A, 4.5V 1V @ 250µA 15nC @ 4.5V 550pF @ 10V 2.7V, 4.5V -8V
FDT439N
单位
$0.88
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RFQ
3,905
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223-4 3W (Ta) N-Channel - 30V 6.3A (Ta) 45 mOhm @ 6.3A, 4.5V 1V @ 250µA 15nC @ 4.5V 500pF @ 15V 2.5V, 4.5V ±8V
NTR2101PT1G
单位
$0.50
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RFQ
600
有现货
ON Semiconductor MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 960mW (Ta) P-Channel - 8V - 52 mOhm @ 3.5A, 4.5V 1V @ 250µA 15nC @ 4.5V 1173pF @ 4V 1.8V, 4.5V ±8V
NTJS3157NT1G
单位
$0.54
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RFQ
3,028
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 1W (Ta) N-Channel - 20V 3.2A (Ta) 60 mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 250µA 15nC @ 4.5V 500pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
IRLR2703TRPBF
单位
$0.90
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RFQ
1,513
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 23A DPAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 45W (Tc) N-Channel - 30V 23A (Tc) 45 mOhm @ 14A, 10V 1V @ 250µA 15nC @ 4.5V 450pF @ 25V 4V, 10V ±16V
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