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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NTLJS3113PT1G
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2,667
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN µCool™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN (2x2) 700mW (Ta) P-Channel 20V 3.5A (Ta) 40 mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 15.7nC @ 4.5V 1329pF @ 16V 1.5V, 4.5V ±8V
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3,673
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-70, SOT-323 SOT-323 700mW (Ta) N-Channel 20V 3.1A (Ta) 56 mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 5.4nC @ 4.5V 400pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±12V
TSM2301ACX RFG
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2,607
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 700mW (Ta) P-Channel 20V 2.8A (Tc) 130 mOhm @ 2.8A, 4.5V 1V @ 250µA 4.5nC @ 4.5V 480pF @ 15V 2.5V, 4.5V ±12V
NTLUS3A40PZTAG
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1,339
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN µCool™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN (2x2) 700mW (Ta) P-Channel 20V 4A (Ta) 29 mOhm @ 6.4A, 4.5V 1V @ 250µA 29nC @ 4.5V 2600pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
DMN1008UFDF-13
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH30V SC-59 Automotive, AEC-Q101 Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad U-DFN2020-6 (Type F) 700mW (Ta) N-Channel 12V 12.2A (Ta) 8 mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 23.4nC @ 8V 995pF @ 6V 2.5V, 4.5V ±8V
NTLUS3A18PZTAG
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1,433
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN µCool™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN (2x2) 700mW (Ta) P-Channel 20V 5.1A (Ta) 18 mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 28nC @ 4.5V 2240pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
NTGS3136PT1G
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1,269
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 6-TSOP 700mW (Ta) P-Channel 20V 3.7A (Ta) 33 mOhm @ 5.1A, 4.5V 1V @ 250µA 29nC @ 4.5V 1901pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
NTLJS4114NT1G
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RFQ
729
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN µCool™ Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN (2x2) 700mW (Ta) N-Channel 30V 3.6A (Ta) 35 mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 13nC @ 4.5V 650pF @ 15V 1.8V, 4.5V ±12V
DMN3300U-7
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1,461
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 700mW (Ta) N-Channel 30V 2A (Ta) 150 mOhm @ 4.5A, 4.5V 1V @ 250µA - 193pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±12V
DMP1045UFY4-7
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RFQ
2,389
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN - 700mW (Ta) P-Channel 12V 5.5A (Ta) 32 mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 250µA 23.7nC @ 8V 1291pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
NTLUS3A18PZTCG
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3,652
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN (2x2) 700mW (Ta) P-Channel 20V 5.1A (Ta) 18 mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 28nC @ 4.5V 2240pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
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