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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
9 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRL1004STRLPBF
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RFQ
3,909
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK HEXFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.8W (Ta), 200W (Tc) N-Channel 40V 130A (Tc) 6.5 mOhm @ 78A, 10V 1V @ 250µA 100nC @ 4.5V 5330pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
IRL3103D1STRLP
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RFQ
829
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK FETKY™ Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.1W (Ta), 89W (Tc) N-Channel 30V 64A (Tc) 14 mOhm @ 34A, 10V 1V @ 250µA 43nC @ 4.5V 1900pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
STB70NF03LT4
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RFQ
3,676
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK STripFET™ II Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 100W (Tc) N-Channel 30V 70A (Tc) 9.5 mOhm @ 35A, 10V 1V @ 250µA 30nC @ 5V 1440pF @ 25V 5V, 10V ±18V
STB60NF06LT4
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RFQ
3,191
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK STripFET™ II Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 110W (Tc) N-Channel 60V 60A (Tc) 14 mOhm @ 30A, 10V 1V @ 250µA 66nC @ 4.5V 2000pF @ 25V 5V, 10V ±15V
STB80NF03L-04T4
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$3.76
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RFQ
2,833
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK STripFET™ II Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -60°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 300W (Tc) N-Channel 30V 80A (Tc) 4 mOhm @ 40A, 10V 1V @ 250µA 110nC @ 4.5V 5500pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
STB85NF3LLT4
单位
$2.60
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RFQ
3,228
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK STripFET™ II Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 110W (Tc) N-Channel 30V 85A (Tc) 8 mOhm @ 40A, 10V 1V @ 250µA 40nC @ 4.5V 2210pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
IRL3803STRLPBF
单位
$2.16
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RFQ
1,252
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.8W (Ta), 200W (Tc) N-Channel 30V 140A (Tc) 6 mOhm @ 71A, 10V 1V @ 250µA 140nC @ 4.5V 5000pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
STB80NF55L-06T4
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$3.76
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RFQ
1,043
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK STripFET™ II Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 300W (Tc) N-Channel 55V 80A (Tc) 6.5 mOhm @ 40A, 10V 1V @ 250µA 136nC @ 5V 4850pF @ 25V 10V ±20V
NDB6020P
单位
$1.71
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RFQ
2,269
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK - Last Time Buy Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -65°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 60W (Tc) P-Channel 20V 24A (Tc) 50 mOhm @ 12A, 4.5V 1V @ 250µA 35nC @ 5V 1590pF @ 10V 4.5V ±8V
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