- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
6 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,448
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 800mW (Ta) | P-Channel | 12V | 4A (Ta) | 31 mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 250µA | 15.8nC @ 4.5V | 1357pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
3,980
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerUFDFN | 6-UDFN (1.6x1.6) | 660mW (Ta) | P-Channel | 12V | 4.4A (Ta) | 24 mOhm @ 7A, 4.5V | 1V @ 250µA | 15.8nC @ 4.5V | 1570pF @ 6V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,944
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerUFDFN | 6-UDFN (1.6x1.6) | 660mW (Ta) | P-Channel | 12V | 4.4A (Ta) | 24 mOhm @ 7A, 4.5V | 1V @ 250µA | 15.8nC @ 4.5V | 1570pF @ 6V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,814
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 800mW (Ta) | P-Channel | 12V | 4A (Ta) | 31 mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 250µA | 15.8nC @ 4.5V | 1357pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,810
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 800mW (Ta) | P-Channel | 12V | 4A (Ta) | 31 mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 250µA | 15.8nC @ 4.5V | 1357pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,426
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 4A SOT23 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 800mW (Ta) | P-Channel | 12V | 4A (Ta) | 31 mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 250µA | 15.8nC @ 4.5V | 1357pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V |
粤ICP备2022113175号-1