- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
8 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,215
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP | HEXFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 | Micro6™(TSOP-6) | 1.7W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 3.2A (Ta) | 100 mOhm @ 2.2A, 10V | 1V @ 250µA | 9.6nC @ 10V | 210pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,076
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6 | - | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | - | Surface Mount | SOT-23-6 | SOT-23-6 | 1.1W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 3.2A (Ta) | 110 mOhm @ 2.2A, 10V | 1V @ 250µA | 9.6nC @ 10V | 380pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,409
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 2W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 3.4A (Ta), 4.7A (Tc) | 110 mOhm @ 2.2A, 10V | 1V @ 250µA | 9.6nC @ 10V | 380pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,069
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 2W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 3.4A (Ta), 4.7A (Tc) | 110 mOhm @ 2.2A, 10V | 1V @ 250µA | 9.6nC @ 10V | 380pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,168
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 2W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 3.4A (Ta), 4.7A (Tc) | 110 mOhm @ 2.2A, 10V | 1V @ 250µA | 9.6nC @ 10V | 380pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,676
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 | Micro6™(TSOP-6) | 1.7W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 3.2A (Ta) | 100 mOhm @ 2.2A, 10V | 1V @ 250µA | 9.6nC @ 10V | 210pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,059
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 | Micro6™(TSOP-6) | 1.7W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 3.2A (Ta) | 100 mOhm @ 2.2A, 10V | 1V @ 250µA | 9.6nC @ 10V | 210pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,140
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP | HEXFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 | Micro6™(TSOP-6) | 1.7W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 3.2A (Ta) | 100 mOhm @ 2.2A, 10V | 1V @ 250µA | 9.6nC @ 10V | 210pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1