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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SIB422EDK-T1-GE3
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RFQ
1,426
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L PowerPAK® SC-75-6L Single 2.5W (Ta), 13W (Tc) N-Channel - 20V 9A (Tc) 30 mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 18nC @ 8V - 1.5V, 4.5V ±8V
SIB422EDK-T1-GE3
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RFQ
2,805
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L PowerPAK® SC-75-6L Single 2.5W (Ta), 13W (Tc) N-Channel - 20V 9A (Tc) 30 mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 18nC @ 8V - 1.5V, 4.5V ±8V
SIB422EDK-T1-GE3
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2,206
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L PowerPAK® SC-75-6L Single 2.5W (Ta), 13W (Tc) N-Channel - 20V 9A (Tc) 30 mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 18nC @ 8V - 1.5V, 4.5V ±8V
SQ2310ES-T1_GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236 2W (Tc) N-Channel - 20V 6A (Tc) 30 mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 8.5nC @ 4.5V 485pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SQ2310ES-T1_GE3
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236 2W (Tc) N-Channel - 20V 6A (Tc) 30 mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 8.5nC @ 4.5V 485pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SQ2310ES-T1_GE3
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RFQ
812
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236 2W (Tc) N-Channel - 20V 6A (Tc) 30 mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 8.5nC @ 4.5V 485pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
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