- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,519
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220AB Full-Pak | 39W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 19A (Tc) | 50 mOhm @ 4.7A, 10V | 1V @ 250µA | 42nC @ 10V | 740pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,470
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC | DeepGATE™, STripFET™ VI | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.7W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 19A (Tc) | 5.6 mOhm @ 9.5A, 10V | 1V @ 250µA | 17nC @ 15V | 1690pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,888
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC | DeepGATE™, STripFET™ VI | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.7W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 19A (Tc) | 5.6 mOhm @ 9.5A, 10V | 1V @ 250µA | 17nC @ 15V | 1690pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
909
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC | DeepGATE™, STripFET™ VI | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.7W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 19A (Tc) | 5.6 mOhm @ 9.5A, 10V | 1V @ 250µA | 17nC @ 15V | 1690pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |