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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NDC631N
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6 - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SuperSOT™-6 1.6W (Ta) N-Channel - 20V 4.1A (Ta) 60 mOhm @ 4.1A, 4.5V 1V @ 250µA 14nC @ 4.5V 365pF @ 10V 2.7V, 4.5V 8V
SI3442DV
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6 - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SuperSOT™-6 1.6W (Ta) N-Channel - 20V 4.1A (Ta) 60 mOhm @ 4.1A, 4.5V 1V @ 250µA 14nC @ 4.5V 365pF @ 10V 2.7V, 4.5V 8V
SI2333DS-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 750mW (Ta) P-Channel - 12V 4.1A (Ta) 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V 1V @ 250µA 18nC @ 4.5V 1100pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 750mW (Ta) P-Channel - 12V 4.1A (Ta) 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V 1V @ 250µA 18nC @ 4.5V 1100pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 750mW (Ta) P-Channel - 12V 4.1A (Ta) 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V 1V @ 250µA 18nC @ 4.5V 1100pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 750mW (Ta) P-Channel - 12V 4.1A (Ta) 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V 1V @ 250µA 18nC @ 4.5V 1100pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 750mW (Ta) P-Channel - 12V 4.1A (Ta) 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V 1V @ 250µA 18nC @ 4.5V 1100pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 750mW (Ta) P-Channel - 12V 4.1A (Ta) 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V 1V @ 250µA 18nC @ 4.5V 1100pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
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