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供应商设备包 :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-75A SC-75A 220mW (Ta) N-Channel 30V 610mA (Ta) 560 mOhm @ 500mA, 4.5V 1V @ 250µA 2nC @ 8V 36pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
SI1062X-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V SC-89 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-89, SOT-490 SC-89-3 220mW (Ta) N-Channel 20V - 420 mOhm @ 500mA, 4.5V 1V @ 250µA 2.7nC @ 8V 43pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SI1062X-T1-GE3
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$0.53
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RFQ
3,774
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V SC-89 TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-89, SOT-490 SC-89-3 220mW (Ta) N-Channel 20V - 420 mOhm @ 500mA, 4.5V 1V @ 250µA 2.7nC @ 8V 43pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SI1062X-T1-GE3
单位
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RFQ
3,156
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V SC-89 TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-89, SOT-490 SC-89-3 220mW (Ta) N-Channel 20V - 420 mOhm @ 500mA, 4.5V 1V @ 250µA 2.7nC @ 8V 43pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
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