- 零件状态 :
- 包装材料 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,519
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220AB Full-Pak | 39W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 19A (Tc) | 50 mOhm @ 4.7A, 10V | 1V @ 250µA | 42nC @ 10V | 740pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,178
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 39W (Tc) | P-Channel | - | 12V | 16A (Tc) | 20 mOhm @ 13.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 75nC @ 8V | 2650pF @ 6V | 2.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,169
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 39W (Tc) | P-Channel | - | 12V | 16A (Tc) | 20 mOhm @ 13.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 75nC @ 8V | 2650pF @ 6V | 2.5V, 4.5V | ±8V |