- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,404
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | 650mW (Ta) | N-Channel | 30V | 2.2A (Ta) | 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V | 1V @ 250µA | - | 290pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,309
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | 650mW (Ta) | N-Channel | 30V | 2.2A (Ta) | 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V | 1V @ 250µA | - | 290pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,048
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | 650mW (Ta) | N-Channel | 30V | 2.2A (Ta) | 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V | 1V @ 250µA | - | 290pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
3,987
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-XDFN | X2-DFN2015-3 | 650mW (Ta) | P-Channel | 16V | 2.5A (Ta) | 39 mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | 282pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,947
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 | - | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-XDFN | X2-DFN2015-3 | 650mW (Ta) | P-Channel | 16V | 2.5A (Ta) | 39 mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | 282pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
872
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-XDFN | X2-DFN2015-3 | 650mW (Ta) | P-Channel | 16V | 2.5A (Ta) | 39 mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | 282pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V |
粤ICP备2022113175号-1