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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI8800EDB-T2-E1
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V MICROFOOT TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 500mW (Ta) N-Channel 20V - 80 mOhm @ 1A, 4.5V 1V @ 250µA 8.3nC @ 8V - 1.5V, 4.5V ±8V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V MICROFOOT TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 500mW (Ta) N-Channel 20V - 80 mOhm @ 1A, 4.5V 1V @ 250µA 8.3nC @ 8V - 1.5V, 4.5V ±8V
SI8800EDB-T2-E1
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V MICROFOOT TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 500mW (Ta) N-Channel 20V - 80 mOhm @ 1A, 4.5V 1V @ 250µA 8.3nC @ 8V - 1.5V, 4.5V ±8V
DMN1045UFR4-7
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN X2-DFN1010-3 500mW (Ta) N-Channel 12V 3.2A (Ta) 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V 1V @ 250µA 4.8nC @ 4.5V 375pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
DMN1045UFR4-7
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3 - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN X2-DFN1010-3 500mW (Ta) N-Channel 12V 3.2A (Ta) 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V 1V @ 250µA 4.8nC @ 4.5V 375pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3 - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN X2-DFN1010-3 500mW (Ta) N-Channel 12V 3.2A (Ta) 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V 1V @ 250µA 4.8nC @ 4.5V 375pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V MICROFOOT TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA 4-Microfoot 500mW (Ta) P-Channel 20V - 76 mOhm @ 1A, 4.5V 1V @ 250µA 19nC @ 8V 615pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SI8817DB-T2-E1
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V MICROFOOT TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA 4-Microfoot 500mW (Ta) P-Channel 20V - 76 mOhm @ 1A, 4.5V 1V @ 250µA 19nC @ 8V 615pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SI8817DB-T2-E1
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V MICROFOOT TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA 4-Microfoot 500mW (Ta) P-Channel 20V - 76 mOhm @ 1A, 4.5V 1V @ 250µA 19nC @ 8V 615pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
DMN2075UDW-7
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 - Not For New Designs Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-363 500mW (Ta) N-Channel 20V 2.8A (Ta) 48 mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 7nC @ 4.5V 594.3pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
DMN2075UDW-7
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 - Not For New Designs Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-363 500mW (Ta) N-Channel 20V 2.8A (Ta) 48 mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 7nC @ 4.5V 594.3pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
DMN2075UDW-7
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 - Not For New Designs Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-363 500mW (Ta) N-Channel 20V 2.8A (Ta) 48 mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 7nC @ 4.5V 594.3pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
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