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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
6 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FDZ291P
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RFQ
3,250
有现货
ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA PowerTrench® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 9-VFBGA 9-BGA (1.5x1.6) 1.7W (Ta) P-Channel - 20V 4.6A (Ta) 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V 1V @ 250µA 13nC @ 4.5V 1010pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
FDZ291P
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RFQ
3,972
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA PowerTrench® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 9-VFBGA 9-BGA (1.5x1.6) 1.7W (Ta) P-Channel - 20V 4.6A (Ta) 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V 1V @ 250µA 13nC @ 4.5V 1010pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
FDZ291P
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RFQ
1,122
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA PowerTrench® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 9-VFBGA 9-BGA (1.5x1.6) 1.7W (Ta) P-Channel - 20V 4.6A (Ta) 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V 1V @ 250µA 13nC @ 4.5V 1010pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
IRLL3303
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RFQ
1,663
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1W (Ta) N-Channel - 30V 4.6A (Ta) 31 mOhm @ 4.6A, 10V 1V @ 250µA 50nC @ 10V 840pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
IRLL3303TR
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RFQ
2,961
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 HEXFET® Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1W (Ta) N-Channel - 30V 4.6A (Ta) 31 mOhm @ 4.6A, 10V 1V @ 250µA 50nC @ 10V 840pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
IRLL3303TR
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RFQ
1,034
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 HEXFET® Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1W (Ta) N-Channel - 30V 4.6A (Ta) 31 mOhm @ 4.6A, 10V 1V @ 250µA 50nC @ 10V 840pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
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