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功耗(最大) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
DMP2069UFY4-7
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN DFN2015H4-3 530mW (Ta) P-Channel 20V 2.5A (Ta) 54 mOhm @ 2.5A, 4.5V 1V @ 250µA 9.1nC @ 4.5V 214pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN DFN2015H4-3 530mW (Ta) P-Channel 20V 2.5A (Ta) 54 mOhm @ 2.5A, 4.5V 1V @ 250µA 9.1nC @ 4.5V 214pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN DFN2015H4-3 530mW (Ta) P-Channel 20V 2.5A (Ta) 54 mOhm @ 2.5A, 4.5V 1V @ 250µA 9.1nC @ 4.5V 214pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3 - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN DFN2015H4-3 400mW (Ta) P-Channel 16V 2.5A (Ta) 39 mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 250µA 10nC @ 4.5V 281.9pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3 - Obsolete Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN DFN2015H4-3 400mW (Ta) P-Channel 16V 2.5A (Ta) 39 mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 250µA 10nC @ 4.5V 281.9pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN - Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN DFN2015H4-3 530mW (Ta) P-Channel 20V 2.5A (Ta) 54 mOhm @ 2.5A, 4.5V 1V @ 250µA 9.1nC @ 4.5V 214pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
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