- 零件状态 :
- 包装材料 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,171
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V SMD1 | - | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-267AB | TO-267AB | 4W (Ta), 150W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 27.4A (Tc) | 100 mOhm @ 17A, 10V | 4V @ 250µA | 115nC @ 10V | - | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,886
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V TO-254AA | - | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) | TO-254AA | 4W (Ta), 150W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 27.4A (Tc) | 100 mOhm @ 17A, 10V | 4V @ 250µA | 115nC @ 10V | - | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,976
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH | HiPerFET™ | Active | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220 Isolated Tab | 40W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 34A (Tc) | 100 mOhm @ 17A, 10V | 5V @ 1.5mA | 56nC @ 10V | 3230pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,373
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | PG-TO263-3-2 | 107W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 17A (Tc) | 100 mOhm @ 17A, 10V | 4V @ 54µA | 19nC @ 10V | 1500pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,114
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 17A TO-220 | OptiMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO220-3-1 | 107W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 17A (Tc) | 100 mOhm @ 17A, 10V | 4V @ 54µA | 19nC @ 10V | 1500pF @ 25V | 10V | ±20V |