- 包装材料 :
- 功耗(最大) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,798
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | I2PAK (TO-262) | 3.13W (Ta), 225W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 12A (Tc) | 650 mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 63nC @ 10V | 2290pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,059
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK | QFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 3.13W (Ta), 225W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 12A (Tc) | 650 mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 63nC @ 10V | 2290pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,811
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220F | 51W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 12A (Tc) | 650 mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 63nC @ 10V | 2290pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,084
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220F | 51W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 12A (Tc) | 650 mOhm @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 63nC @ 10V | 2290pF @ 25V | 10V | ±30V |