- 功耗(最大) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,045
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220 | HiPerFET™, PolarHT™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3, Short Tab | PLUS220 | 360W (Tc) | N-Channel | - | 800V | 12A (Tc) | 850 mOhm @ 500mA, 10V | 5.5V @ 2.5mA | 51nC @ 10V | 2800pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,278
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220 | HiPerFET™, PolarP2™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3, Short Tab | PLUS220 | 380W (Tc) | N-Channel | - | 900V | 12A (Tc) | 900 mOhm @ 6A, 10V | 6.5V @ 1mA | 56nC @ 10V | 3080pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,935
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220 | HiPerFET™, PolarP2™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3, Short Tab | PLUS220 | 543W (Tc) | N-Channel | - | 1200V | 12A (Tc) | 1.35 Ohm @ 500mA, 10V | 6.5V @ 1mA | 103nC @ 10V | 5400pF @ 25V | 10V | ±30V |