- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,720
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220 | CoolMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO220-3-1 | 50W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 4.5A (Tc) | 950 mOhm @ 2.8A, 10V | 5.5V @ 200µA | 22.9nC @ 10V | 580pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,536
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB | CoolMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO220-3-1 | 50W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 4.5A (Tc) | 950 mOhm @ 2.8A, 10V | 3.9V @ 200µA | 25nC @ 10V | 490pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,019
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB | CoolMOS™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | PG-TO220-3-1 | 50W (Tc) | N-Channel | - | 560V | 4.5A (Tc) | 950 mOhm @ 2.8A, 10V | 3.9V @ 200µA | 22nC @ 10V | 470pF @ 25V | 10V | ±20V |