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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NTD12N10T4
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RFQ
1,816
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 12A DPAK - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) N-Channel 100V 12A (Ta) 165 mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 20nC @ 10V 550pF @ 25V 10V ±20V
NTD12N10T4G
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RFQ
1,584
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 12A DPAK - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) N-Channel 100V 12A (Ta) 165 mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 20nC @ 10V 550pF @ 25V 10V ±20V
BSP373L6327HTSA1
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RFQ
3,077
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 SIPMOS® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA PG-SOT223-4 1.8W (Ta) N-Channel 100V 1.7A (Ta) 300 mOhm @ 1.7A, 10V 4V @ 1mA - 550pF @ 25V 10V ±20V
CXDM1002N TR
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RFQ
1,211
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Central Semiconductor Corp MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-243AA SOT-89 1.2W (Ta) N-Channel 100V 2A (Ta) 300 mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 250µA 6nC @ 5V 550pF @ 25V 4.5V, 10V 20V
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