- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,324
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK | TrenchMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 166W (Tc) | N-Channel | 100V | 47A (Tc) | 28 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 66nC @ 10V | 3100pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,224
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 5.4W (Ta), 83W (Tc) | N-Channel | 100V | 60A (Tc) | 7.8 mOhm @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 66nC @ 10V | 2350pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
993
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 | OptiMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | PG-TO263-3-2 | 125W (Tc) | N-Channel | 100V | 70A (Tc) | 11.3 mOhm @ 70A, 10V | 4V @ 83µA | 66nC @ 10V | 4355pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,657
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 40A DPAK | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 3.9W (Ta), 90W (Tc) | N-Channel | 100V | 8.5A (Ta), 41A (Tc) | 20 mOhm @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 66nC @ 10V | 3468pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1