- 零件状态 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,041
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 92W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 36A (Tc) | 26.5 mOhm @ 22A, 10V | 4V @ 250µA | 63nC @ 10V | 1770pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,504
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 39A TO-263AB | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ | Last Time Buy | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 183W (Tj) | N-Channel | - | 100V | 39A (Tc) | 35 mOhm @ 39A, 10V | 3V @ 250µA | 63nC @ 10V | 1810pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
3,507
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 156W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 17A (Ta), 100A (Tc) | 4.6 mOhm @ 50A, 10V | 3.5V @ 120µA | 63nC @ 10V | 4500pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
849
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 83W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 32A (Tc) | 26 mOhm @ 9.3A, 10V | 3.5V @ 250µA | 63nC @ 10V | 3342pF @ 25V | 6V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1