- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,805
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC | HEXFET® | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 100V | 7.3A (Ta) | 22 mOhm @ 4.4A, 10V | 4V @ 250µA | 51nC @ 10V | 1530pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,009
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 136W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 42A (Tc) | 28 mOhm @ 42A, 10V | 4V @ 250µA | 51nC @ 10V | 1800pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,235
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | QFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 3.75W (Ta), 127W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 33A (Tc) | 52 mOhm @ 16.5A, 10V | 4V @ 250µA | 51nC @ 10V | 1500pF @ 25V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
810
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 83W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 32A (Tc) | 11 mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 51nC @ 10V | 2289pF @ 40V | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1