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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STL70N10F3
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RFQ
876
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STMicroelectronics MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6 STripFET™ III Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 136W (Tc) N-Channel - 100V 82A (Tc) 8.4 mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 56nC @ 10V 3210pF @ 25V 10V ±20V
IRFR3410TRPBF
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3,592
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 31A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 3W (Ta), 110W (Tc) N-Channel - 100V 31A (Tc) 39 mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 56nC @ 10V 1690pF @ 25V 10V ±20V
BSC118N10NSGATMA1
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RFQ
1,333
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 114W (Tc) N-Channel - 100V 11A (Ta), 71A (Tc) 11.8 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 70µA 56nC @ 10V 3700pF @ 50V 10V ±20V
IRF7490TRPBF
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2,290
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 100V 5.4A (Ta) 39 mOhm @ 3.2A, 10V 4V @ 250µA 56nC @ 10V 1720pF @ 25V 10V ±20V
IRFR3410TRLPBF
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1,733
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 31A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 3W (Ta), 110W (Tc) N-Channel - 100V 31A (Tc) 39 mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 56nC @ 10V 1690pF @ 25V 10V ±20V
SIJ470DP-T1-GE3
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3,273
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8 ThunderFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5W (Ta), 56.8W (Tc) N-Channel - 100V 58.8A (Tc) 9.1 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 56nC @ 10V 2050pF @ 50V 7.5V, 10V ±20V
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