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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SIR878BDP-T1-RE3
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RFQ
2,671
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 TrenchFET® Gen IV Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5W (Ta), 62.5W (Tc) N-Channel - 100V 12A (Ta), 42.5A (Tc) 14.4 mOhm @ 15A, 10V 3.4V @ 250µA 38nC @ 10V 1850pF @ 50V 7.5V, 10V ±20V
BSC070N10NS5ATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 100V 80A (Tc) 7 mOhm @ 40A, 10V 3.8V @ 50µA 38nC @ 10V 2700pF @ 50V 6V, 10V ±20V
IRF9530STRLPBF
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.7W (Ta), 88W (Tc) P-Channel - 100V 12A (Tc) 300 mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 38nC @ 10V 860pF @ 25V 10V ±20V
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RFQ
2,679
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Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 TrenchFET® Gen IV Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S PowerPAK® 1212-8S 4.8W (Ta), 57W (Tc) N-Channel - 100V 11.8A (Ta), 40.5A (Tc) 14.4 mOhm @ 15A, 10V 3.4V @ 250µA 38nC @ 10V 1850pF @ 50V 7.5V, 10V ±20V
BUK7626-100B,118
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RFQ
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 157W (Tc) N-Channel - 100V 49A (Tc) 26 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 38nC @ 10V 2891pF @ 25V 10V ±20V
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