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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BUK7Y12-100EX
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RFQ
2,295
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK TrenchMOS™ Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 238W (Tc) N-Channel 100V 85A (Tc) 12 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 68nC @ 10V 5067pF @ 25V 10V ±20V
IPD068N10N3GATMA1
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RFQ
3,015
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 90A OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 150W (Tc) N-Channel 100V 90A (Tc) 6.8 mOhm @ 90A, 10V 3.5V @ 90µA 68nC @ 10V 4910pF @ 50V 6V, 10V ±20V
BSC123N10LSGATMA1
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RFQ
2,625
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 114W (Tc) N-Channel 100V 10.6A (Ta), 71A (Tc) 12.3 mOhm @ 50A, 10V 2.4V @ 72µA 68nC @ 10V 4900pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
BSC060N10NS3GATMA1
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RFQ
1,321
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 125W (Tc) N-Channel 100V 14.9A (Ta), 90A (Tc) 6 mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 90µA 68nC @ 10V 4900pF @ 50V 6V, 10V ±20V
ATP405-TL-H
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RFQ
3,589
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount ATPAK (2 leads+tab) ATPAK 70W (Tc) N-Channel 100V 40A (Ta) 33 mOhm @ 20A, 10V - 68nC @ 10V 4000pF @ 20V 10V ±20V
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