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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SUD50N10-18P-GE3
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RFQ
3,391
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 3W (Ta), 136.4W (Tc) N-Channel - 100V 8.2A (Ta), 50A (Tc) 18.5 mOhm @ 15A, 10V 5V @ 250µA 75nC @ 10V 2600pF @ 50V 10V ±20V
SIE854DF-T1-GE3
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RFQ
822
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) 10-PolarPAK® (L) 5.2W (Ta), 125W (Tc) N-Channel - 100V 60A (Tc) 14.2 mOhm @ 13.2A, 10V 4.4V @ 250µA 75nC @ 10V 3100pF @ 50V 10V ±20V
PSMN013-100YSEX
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RFQ
952
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V LFPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 238W (Tc) N-Channel - 100V 82A (Tj) 13 mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 75nC @ 10V 3775pF @ 50V 10V ±20V
FDMS3662
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RFQ
901
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 2.5W (Ta), 104W (Tc) N-Channel - 100V 8.9A (Ta), 49A (Tc) 14.8 mOhm @ 8.9A, 10V 4.5V @ 250µA 75nC @ 10V 4620pF @ 50V 10V ±20V
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