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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
PMT200EN,135
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RFQ
1,976
有现货
NXP USA Inc. MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 800mW (Ta), 8.3W (Tc) N-Channel - 100V 1.8A (Ta) 235 mOhm @ 1.5A, 10V 2.5V @ 250µA 10nC @ 10V 475pF @ 80V 4.5V, 10V ±20V
DMN10H120SE-13
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RFQ
3,981
有现货
Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1.3W (Ta) N-Channel - 100V 3.6A (Ta) 110 mOhm @ 3.3A, 10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V 549pF @ 50V 6V, 10V ±20V
SIA416DJ-T1-GE3
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RFQ
3,650
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6 Single 3.5W (Ta), 19W (Tc) N-Channel - 100V 11.3A (Tc) 83 mOhm @ 3.2A, 10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V 295pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
IRFR120ZTRPBF
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RFQ
2,896
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 35W (Tc) N-Channel - 100V 8.7A (Tc) 190 mOhm @ 5.2A, 10V 4V @ 250µA 10nC @ 10V 310pF @ 25V 10V ±20V
AOD2922
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RFQ
2,297
有现货
Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 100V 3.5A TO252 AlphaMOS Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 5W (Ta), 17W (Tc) N-Channel - 100V 3.5A (Ta), 7A (Tc) 140 mOhm @ 5A, 10V 2.7V @ 250µA 10nC @ 10V 310pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
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