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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI7810DN-T1-GE3
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RFQ
1,762
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 TrenchFET® Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 1.5W (Ta) N-Channel 100V 3.4A (Ta) 62 mOhm @ 5.4A, 10V 4.5V @ 250µA 17nC @ 10V - 6V, 10V ±20V
BSC252N10NSFGATMA1
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RFQ
2,785
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 78W (Tc) N-Channel 100V 7.2A (Ta), 40A (Tc) 25.2 mOhm @ 20A, 10V 4V @ 43µA 17nC @ 10V 1100pF @ 50V 10V ±20V
SI7810DN-T1-E3
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RFQ
2,345
有现货
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 1.5W (Ta) N-Channel 100V 3.4A (Ta) 62 mOhm @ 5.4A, 10V 4.5V @ 250µA 17nC @ 10V - 6V, 10V ±20V
FDM3622
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RFQ
2,115
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 8-MLP (3.3x3.3) 2.1W (Ta) N-Channel 100V 4.4A (Ta) 60 mOhm @ 4.4A, 10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V 1090pF @ 25V 6V, 10V ±20V
ZXMN10A25GTA
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RFQ
1,134
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 2W (Ta) N-Channel 100V 2.9A (Ta) 125 mOhm @ 2.9A, 10V 4V @ 250µA 17nC @ 10V 859pF @ 50V 10V ±20V
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