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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFH5053TR2PBF
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RFQ
1,285
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56 HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PQFN (5x6) Single Die 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) N-Channel - 100V 9.3A (Ta), 46A (Tc) 18 mOhm @ 9.3A, 10V 4.9V @ 100µA 36nC @ 10V 1510pF @ 50V 10V ±20V
IRF6662TR1PBF
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RFQ
812
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric MZ DIRECTFET™ MZ 2.8W (Ta), 89W (Tc) N-Channel - 100V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 22 mOhm @ 8.2A, 10V 4.9V @ 100µA 31nC @ 10V 1360pF @ 25V 10V ±20V
IRF6662TRPBF
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RFQ
2,171
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric MZ DIRECTFET™ MZ 2.8W (Ta), 89W (Tc) N-Channel - 100V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 22 mOhm @ 8.2A, 10V 4.9V @ 100µA 31nC @ 10V 1360pF @ 25V 10V ±20V
IRFH5053TRPBF
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RFQ
2,108
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56 HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PQFN (5x6) Single Die 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) N-Channel - 100V 9.3A (Ta), 46A (Tc) 18 mOhm @ 9.3A, 10V 4.9V @ 100µA 36nC @ 10V 1510pF @ 50V 10V ±20V
IRF7853TRPBF
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RFQ
800
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 100V 8.3A (Ta) 18 mOhm @ 8.3A, 10V 4.9V @ 100µA 39nC @ 10V 1640pF @ 25V 10V ±20V
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