- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,408
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 2W (Ta) | N-Channel | - | 100V | 55A (Tc) | 28 mOhm @ 20A, 10V | 3.3V @ 250µA | 36nC @ 10V | 2245pF @ 50V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,982
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON | NexFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-VSONP (5x6) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 100A (Tc) | 6.4 mOhm @ 16A, 10V | 3.3V @ 250µA | 48nC @ 10V | 3870pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,238
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 19.7A (Tc) | 10 mOhm @ 15A, 10V | 3.3V @ 250µA | 69nC @ 10V | 2410pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,807
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON | NexFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-VSONP (5x6) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 100A (Ta) | 6.4 mOhm @ 16A, 10V | 3.3V @ 250µA | 48nC @ 10V | 3870pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1