- FET型 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,961
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 22A (Tc) | 30.5 mOhm @ 10A, 10V | 2.8V @ 250µA | 19.5nC @ 10V | 580pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,278
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK | Automotive, AEC-Q101, QFET® | Last Time Buy | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 3.75W (Ta), 125W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 22A (Tc) | 125 mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 50nC @ 10V | 1500pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
797
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK | QFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 3.75W (Ta), 125W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 22A (Tc) | 125 mOhm @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 50nC @ 10V | 1500pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,912
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK | PowerTrench® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-PAK (TO-252AA) | 3.8W (Ta), 60W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 22A (Tc) | 64 mOhm @ 5.4A, 10V | 4V @ 250µA | 39nC @ 10V | 1514pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V |