- FET型 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,031
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK | - | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D²Pak) | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 14A (Tc) | 160 mOhm @ 8.4A, 10V | 4V @ 250µA | 26nC @ 10V | 670pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,072
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.8W (Ta), 79W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 14A (Tc) | 200 mOhm @ 8.4A, 10V | 4V @ 250µA | 58nC @ 10V | 760pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,839
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 14A (Tc) | 160 mOhm @ 8.4A, 10V | 4V @ 250µA | 26nC @ 10V | 670pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,220
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 14A POWERPAKSO | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 45W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 14A (Tc) | 92 mOhm @ 4A, 10V | 2.5V @ 250µA | 8nC @ 10V | 280pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |