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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NTB6413ANT4G
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3,009
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 136W (Tc) N-Channel 100V 42A (Tc) 28 mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 51nC @ 10V 1800pF @ 25V 10V ±20V
IRF1310NSTRLPBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3.8W (Ta), 160W (Tc) N-Channel 100V 42A (Tc) 36 mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 110nC @ 10V 1900pF @ 25V 10V ±20V
IRFR3710ZTRPBF
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2,205
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 42A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 140W (Tc) N-Channel 100V 42A (Tc) 18 mOhm @ 33A, 10V 4V @ 250µA 100nC @ 10V 2930pF @ 25V 10V ±20V
IRLR3110ZTRPBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 42A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 140W (Tc) N-Channel 100V 42A (Tc) 14 mOhm @ 38A, 10V 2.5V @ 100µA 48nC @ 4.5V 3980pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
SQJ488EP-T1_GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 83W (Tc) N-Channel 100V 42A (Tc) 21 mOhm @ 7.4A, 10V 2.5V @ 250µA 27nC @ 10V 979pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
PSMN028-100YS,115
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677
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 89W (Tc) N-Channel 100V 42A (Tc) 27.5 mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 33nC @ 10V 1634pF @ 50V 10V ±20V
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