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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IPD30N10S3L34ATMA1
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RFQ
661
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 57W (Tc) N-Channel - 100V 30A (Tc) 31 mOhm @ 30A, 10V 2.4V @ 29µA 31nC @ 10V 1976pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
BUK9Y38-100E,115
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RFQ
3,000
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 94.9W (Tc) N-Channel - 100V 30A (Tc) 38 mOhm @ 5A, 5V 2.1V @ 1mA 21.6nC @ 5V 2541pF @ 25V 5V, 10V ±10V
BUK7Y38-100EX
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RFQ
2,775
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK TrenchMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 95W (Tc) N-Channel - 100V 30A (Tc) 29 mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 30.9nC @ 10V 1720pF @ 25V 10V ±20V
STL30N10F7
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RFQ
1,477
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 8A PWRFLAT56 DeepGATE™, STripFET™ VII Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 75W (Tc) N-Channel - 100V 30A (Tc) 35 mOhm @ 4A, 10V 4.5V @ 250µA 14nC @ 10V 920pF @ 50V 10V ±20V
PSMN038-100YLX
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RFQ
641
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 94.9W (Tc) N-Channel - 100V 30A (Tc) 37.5 mOhm @ 5A, 10V 2.1V @ 1mA 39.2nC @ 10V 1905pF @ 25V 5V, 10V ±20V
SIS892DN-T1-GE3
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RFQ
2,968
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 3.7W (Ta), 52W (Tc) N-Channel - 100V 30A (Tc) 29 mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 21.5nC @ 10V 611pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
SIS890DN-T1-GE3
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RFQ
1,904
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 3.7W (Ta), 52W (Tc) N-Channel - 100V 30A (Tc) 23.5 mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 29nC @ 10V 802pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
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