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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
DMT10H010SPS-13
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RFQ
3,936
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Diodes Incorporated MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PowerDI5060-8 1.2W (Ta) N-Channel - 100V 10.7A (Ta), 113A (Tc) 8.8 mOhm @ 13A, 10V 4V @ 250µA 56.4nC @ 10V 4.468nF @ 50V 6V, 10V ±20V
DMT10H015LSS-13
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RFQ
3,858
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 8.3A - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.2W (Ta) N-Channel - 100V 8.3A (Ta) 16 mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 33.3nC @ 10V 1871pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
CXDM1002N TR
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RFQ
1,211
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Central Semiconductor Corp MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-243AA SOT-89 1.2W (Ta) N-Channel - 100V 2A (Ta) 300 mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 250µA 6nC @ 5V 550pF @ 25V 4.5V, 10V 20V
DMN10H170SVTQ-7
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RFQ
3,675
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TSOT-26 1.2W (Ta) N-Channel - 100V 2.6A (Ta) 160 mOhm @ 5A, 10V 3V @ 250µA 9.7nC @ 10V 1167pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
DMN10H170SVT-7
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RFQ
2,478
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TSOT-26 1.2W (Ta) N-Channel - 100V 2.6A (Ta) 160 mOhm @ 5A, 10V 3V @ 250µA 9.7nC @ 10V 1167pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SSM3K361R,LF
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RFQ
873
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Toshiba Semiconductor and Storage SMALL-SIGNAL NCH MOSFET SOT23F Q U-MOSVIII-H Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 175°C Surface Mount SOT-23-3 Flat Leads SOT-23F 1.2W (Ta) N-Channel - 100V 3.5A (Ta) 69 mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 100µA 3.2nC @ 4.5V 430pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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