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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SPB80N10L G
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RFQ
3,705
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 SIPMOS® Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 250W (Tc) N-Channel - 100V 80A (Tc) 14 mOhm @ 58A, 10V 2V @ 2mA 240nC @ 10V 4540pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
STH130N10F3-2
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RFQ
2,302
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2 STripFET™ III Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB H2Pak-2 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 9.3 mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 57nC @ 10V 3305pF @ 25V 10V ±20V
IPB027N10N5ATMA1
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2,376
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 2.7 mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 184µA 139nC @ 10V 10300pF @ 50V 6V, 10V ±20V
IRFS4310ZTRLPBF
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RFQ
984
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
AUIRFS4310ZTRL
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RFQ
835
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 6 mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170nC @ 10V 6860pF @ 50V 10V ±20V
CSD19532KTT
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RFQ
3,715
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Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 NexFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB DDPAK/TO-263-3 250W (Tc) N-Channel - 100V 200A (Ta) 5.6 mOhm @ 90A, 10V 3.2V @ 250µA 57nC @ 10V 5060pF @ 50V 6V, 10V ±20V
STH150N10F7-2
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RFQ
2,596
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2 DeepGATE™, STripFET™ VII Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB H2Pak-2 250W (Tc) N-Channel - 100V 110A (Tc) 3.9 mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 117nC @ 10V 8115pF @ 50V 10V ±20V
CSD19532KTTT
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RFQ
1,872
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Texas Instruments MOSFET N-CH 100V TO-263-3 NexFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB DDPAK/TO-263-3 250W (Tc) N-Channel - 100V 200A (Ta) 5.6 mOhm @ 90A, 10V 3.2V @ 250µA 57nC @ 10V 5060pF @ 50V 6V, 10V ±20V
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