- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,762
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 | TrenchFET® | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 1.5W (Ta) | N-Channel | 100V | 3.4A (Ta) | 62 mOhm @ 5.4A, 10V | 4.5V @ 250µA | 17nC @ 10V | - | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,975
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8 | Automotive, AEC-Q101 | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PowerDI5060-8 | 1.5W (Ta) | N-Channel | 100V | 11.8A (Ta), 123A (Tc) | 8.8 mOhm @ 13A, 10V | 4V @ 250µA | 56.4nC @ 10V | 4.468nF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,099
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT | PowerTrench® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SuperSOT-3 | 1.5W (Ta) | N-Channel | 100V | 2.7A (Ta) | 109 mOhm @ 1.5A, 10V | 4V @ 250µA | 5nC @ 10V | 210pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,345
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 1.5W (Ta) | N-Channel | 100V | 3.4A (Ta) | 62 mOhm @ 5.4A, 10V | 4.5V @ 250µA | 17nC @ 10V | - | 6V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1