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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STL70N10F3
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RFQ
876
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STMicroelectronics MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6 STripFET™ III Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 136W (Tc) N-Channel - 100V 82A (Tc) 8.4 mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 56nC @ 10V 3210pF @ 25V 10V ±20V
STH130N10F3-2
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RFQ
2,302
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2 STripFET™ III Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB H2Pak-2 250W (Tc) N-Channel - 100V 120A (Tc) 9.3 mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 57nC @ 10V 3305pF @ 25V 10V ±20V
STH180N10F3-2
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RFQ
2,930
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK STripFET™ III Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB H2Pak-2 315W (Tc) N-Channel - 100V 180A (Tc) 4.5 mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 114.6nC @ 10V 6665pF @ 25V 10V ±20V
STH180N10F3-6
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RFQ
1,902
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK STripFET™ III Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) H2PAK-6 315W (Tc) N-Channel - 100V 180A (Tc) 4.5 mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 114.6nC @ 10V 6665pF @ 25V 10V ±20V
STL8N10LF3
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RFQ
1,291
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STMicroelectronics MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6 STripFET™ III Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 4.3W (Ta), 70W (Tc) N-Channel - 100V 20A (Tc) 35 mOhm @ 4A, 10V 3V @ 250µA 20.5nC @ 10V 970pF @ 25V 5V, 10V ±20V
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