- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
5 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
737
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (IXFA) | 480W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 180A (Tc) | 6 mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 185nC @ 10V | 10500pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,727
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-220 | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 480W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 180A (Tc) | 6 mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 185nC @ 10V | 10500pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,416
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 | Linear L2™ | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | - | Through Hole | TO-247-3 | TO-247 (IXTH) | 600W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 110A (Tc) | 18 mOhm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 250µA | 260nC @ 10V | 10500pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,979
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 | Linear L2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268 | 600W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 110A (Tc) | 18 mOhm @ 55A, 10V | 4.5V @ 250µA | 260nC @ 10V | 10500pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,879
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 | DeepGATE™, STripFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 315W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 120A (Tc) | 5.5 mOhm @ 60A, 10V | 4V @ 250µA | 180nC @ 10V | 10500pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1