- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,064
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 50A TO-220 | STripFET™ | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 180W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 50A (Tc) | 27 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 166nC @ 10V | 6000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,064
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK | STripFET™ | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -65°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 180W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 50A (Tc) | 27 mOhm @ 25A, 10V | 4V @ 250µA | 166nC @ 10V | 6000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
916
有现货
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Infineon Technologies | 100V 260A 1.9MOHM TOLL | OptiMOS™-5 | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerSFN | PG-HSOF-8-1 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 260A (Tc) | 1.9 mOhm @ 100A, 10V | 3.8V @ 210µA | 166nC @ 10V | 11830pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,108
有现货
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Infineon Technologies | 100V 260A 1.9MOHM TOLL | OptiMOS™-5 | Active | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerSFN | PG-HSOF-8-1 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 260A (Tc) | 1.9 mOhm @ 100A, 10V | 3.8V @ 210µA | 166nC @ 10V | 11830pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,732
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET_(75V,120V( | OptiMOS™-5 | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerSFN | PG-HSOF-8-1 | 300W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 260A (Tc) | 1.9 mOhm @ 100A, 10V | 3.8V @ 210µA | 166nC @ 10V | 11830pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1