- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,861
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 | TO-220AB | 160W (Tc) | N-Channel | 100V | 59A (Tc) | 18 mOhm @ 35A, 10V | 4V @ 250mA | 120nC @ 10V | 2900pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
720
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 18LCC | - | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 18-CLCC | 18-ULCC (9.14x7.49) | 800mW (Ta), 25W (Tc) | N-Channel | 100V | 8A (Tc) | 180 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250mA | 6.34nC @ 10V | - | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,103
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39 | - | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-205AF Metal Can | TO-39 | 800mW (Ta), 25W (Tc) | N-Channel | 100V | 8A (Tc) | 180 mOhm @ 5A, 10V | 4V @ 250mA | 6.34nC @ 10V | - | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1