- 零件状态 :
- 包装材料 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,473
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220ML | - | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | TO-220ML | 2W (Ta), 25W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 18A (Ta) | 65 mOhm @ 9A, 10V | 5V @ 1mA | 11.4nC @ 10V | 680pF @ 20V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,421
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA | - | Obsolete | Cut Tape (CT) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-SOP Advance (5x5) | 1.6W (Ta), 45W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 20A (Ta) | 47 mOhm @ 10A, 10V | 5V @ 1mA | 15nC @ 10V | 1000pF @ 10V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,696
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 250A TO-264 | HiPerFET™, PolarP2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | TO-264AA (IXFK) | 1250W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 250A (Tc) | 6.5 mOhm @ 50A, 10V | 5V @ 1mA | 205nC @ 10V | 16000pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
956
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247 | HiPerFET™, PolarP2™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | PLUS247™-3 | 1250W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 250A (Tc) | 6.5 mOhm @ 50A, 10V | 5V @ 1mA | 205nC @ 10V | 16000pF @ 25V | 10V | ±20V |