晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	NDBA180N10BT4H		获得报价	PDF RFQ	1,703 有现货	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 180A DPAK	-	Obsolete	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	200W (Tc)	N-Channel	100V	180A (Ta)	2.8 mOhm @ 50A, 15V	4V @ 1mA	95nC @ 10V	6950pF @ 50V	10V, 15V	±20V
	NDBA100N10BT4H		获得报价	PDF RFQ	1,368 有现货	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 100A DPAK	-	Obsolete	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	110W (Tc)	N-Channel	100V	100A (Ta)	6.9 mOhm @ 50A, 15V	4V @ 1mA	35nC @ 10V	2950pF @ 50V	10V, 15V	±20V
	IRF540STRR		获得报价	PDF RFQ	2,278 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK	-	Obsolete	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	3.7W (Ta), 150W (Tc)	N-Channel	100V	28A (Tc)	77 mOhm @ 17A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	1700pF @ 25V	10V	±20V
	IRF540STRL		获得报价	PDF RFQ	2,825 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK	-	Obsolete	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	3.7W (Ta), 150W (Tc)	N-Channel	100V	28A (Tc)	77 mOhm @ 17A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	1700pF @ 25V	10V	±20V
	IRF540S		获得报价	PDF RFQ	3,977 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK	-	Obsolete	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D²PAK (TO-263)	3.7W (Ta), 150W (Tc)	N-Channel	100V	28A (Tc)	77 mOhm @ 17A, 10V	4V @ 250µA	72nC @ 10V	1700pF @ 25V	10V	±20V

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