- 系列 :
- 功耗（最大） :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,800
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F | QFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | TO-220F-3 (Y-Forming) | 38W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 8.8A (Tc) | 430 mOhm @ 4.4A, 10V | 4V @ 250µA | 35nC @ 10V | 710pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,526
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 250V 6A | QFET® | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | TO-220F-3 (Y-Forming) | 50W (Tc) | P-Channel | - | 250V | 6A (Tc) | 620 mOhm @ 3A, 10V | 5V @ 250µA | 38nC @ 10V | 1180pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,218
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F | UniFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | TO-220F-3 (Y-Forming) | 38W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 51A (Tc) | 60 mOhm @ 25.5A, 10V | 5V @ 250µA | 70nC @ 10V | 3410pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
611
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F | UniFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | TO-220F (LG-Formed) | 38W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 44A (Tc) | 69 mOhm @ 22A, 10V | 5V @ 250µA | 61nC @ 10V | 2870pF @ 25V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1