- 包装材料 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,568
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2 | - | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Stub Leads, IPak | PW-MOLD2 | 20W (Tc) | N-Channel | 250V | 4.5A (Ta) | 1 Ohm @ 2.5A, 10V | 3.5V @ 1mA | 10nC @ 10V | 440pF @ 10V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,072
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD | - | Obsolete | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PW-MOLD | 20W (Tc) | N-Channel | 250V | 4.5A (Ta) | 1 Ohm @ 2.5A, 10V | 3.5V @ 1mA | 10nC @ 10V | 440pF @ 10V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
950
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 | 35W (Tc) | P-Channel | 250V | 4.1A (Tc) | 1 Ohm @ 2.5A, 10V | 4V @ 250µA | 38nC @ 10V | 680pF @ 25V | 10V | ±20V |