- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,818
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247AC | 360W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 57A (Tc) | 33 mOhm @ 35A, 10V | 5V @ 250µA | 150nC @ 10V | 5860pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,028
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 45A TO-262 | HEXFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262 | 330W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 45A (Tc) | 48 mOhm @ 26A, 10V | 5V @ 250µA | 110nC @ 10V | 4560pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
819
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AC | HEXFET® | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 175°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | TO-247AC | 430W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 60A (Tc) | 35.7 mOhm @ 42A, 10V | 5V @ 250µA | 240nC @ 10V | 7290pF @ 25V | 10V | ±20V |