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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FQA48N20
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RFQ
900
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P QFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P 280W (Tc) N-Channel - 200V 48A (Tc) 50 mOhm @ 24A, 10V 5V @ 250µA 130nC @ 10V 5000pF @ 25V 10V ±30V
IXTQ48N20T
单位
$2.74
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RFQ
2,202
有现货
IXYS MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P Trench™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P 250W (Tc) N-Channel - 200V 48A (Tc) 50 mOhm @ 24A, 10V 4.5V @ 250µA 60nC @ 10V 3090pF @ 25V 10V ±30V
IXTA48N20T
单位
$2.44
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RFQ
3,559
有现货
IXYS MOSFET N-CH 200V 48A TO-263 Trench™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (IXTA) 250W (Tc) N-Channel - 200V 48A (Tc) 50 mOhm @ 24A, 10V 4.5V @ 250µA 60nC @ 10V 3090pF @ 25V 10V ±30V
IXTP48N20T
单位
$2.92
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RFQ
1,505
有现货
IXYS MOSFET N-CH 200V 48A TO-220 TrenchMV™ Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 250W (Tc) N-Channel - 200V 48A (Tc) 50 mOhm @ 24A, 10V 4.5V @ 250µA 60nC @ 10V 3000pF @ 25V 10V ±30V
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