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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRFSL4227PBF
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RFQ
3,172
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 62A TO-262 HEXFET® Obsolete Tube MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262 330W (Tc) N-Channel - 200V 62A (Tc) 26 mOhm @ 46A, 10V 5V @ 250µA 98nC @ 10V 4600pF @ 25V 10V ±30V
IRFB4227PBF
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RFQ
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-220-3 TO-220AB 330W (Tc) N-Channel - 200V 65A (Tc) 24 mOhm @ 46A, 10V 5V @ 250µA 98nC @ 10V 4600pF @ 25V 10V ±30V
IRFS4227TRLPBF
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RFQ
2,298
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 330W (Tc) N-Channel - 200V 62A (Tc) 26 mOhm @ 46A, 10V 5V @ 250µA 98nC @ 10V 4600pF @ 25V 10V ±30V
IRFS4227TRLPBF
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RFQ
2,725
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK HEXFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 330W (Tc) N-Channel - 200V 62A (Tc) 26 mOhm @ 46A, 10V 5V @ 250µA 98nC @ 10V 4600pF @ 25V 10V ±30V
IRFS4227TRLPBF
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RFQ
2,631
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK HEXFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 330W (Tc) N-Channel - 200V 62A (Tc) 26 mOhm @ 46A, 10V 5V @ 250µA 98nC @ 10V 4600pF @ 25V 10V ±30V
IRFP4227PBF
单位
$4.37
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RFQ
1,523
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC HEXFET® Active Tube MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 TO-247AC 330W (Tc) N-Channel - 200V 65A (Tc) 25 mOhm @ 46A, 10V 5V @ 250µA 98nC @ 10V 4600pF @ 25V 10V ±30V
IRFS4227PBF
单位
$3.43
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RFQ
3,300
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK HEXFET® Not For New Designs Tube MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 330W (Tc) N-Channel - 200V 62A (Tc) 26 mOhm @ 46A, 10V 5V @ 250µA 98nC @ 10V 4600pF @ 25V 10V ±30V
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