晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	IRFP250NPBF	单位 $2.38	获得报价	PDF RFQ	2,799 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC	HEXFET®	Active	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	214W (Tc)	N-Channel	-	200V	30A (Tc)	75 mOhm @ 18A, 10V	4V @ 250µA	123nC @ 10V	2159pF @ 25V	10V	±20V
	IRFP260MPBF	单位 $2.97	获得报价	PDF RFQ	3,593 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	300W (Tc)	N-Channel	-	200V	50A (Tc)	40 mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	234nC @ 10V	4057pF @ 25V	10V	±20V
	IRF200P223	单位 $10.14	获得报价	PDF RFQ	2,648 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC	StrongIRFET™	Active	-	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	313W (Tc)	N-Channel	-	200V	100A (Tc)	11.5 mOhm @ 60A, 10V	4V @ 270µA	102nC @ 10V	5094pF @ 50V	10V	±20V
	SUG90090E-GE3	单位 $4.71	获得报价	PDF RFQ	967 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC	ThunderFET®	Active	Cut Tape (CT)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	395W (Tc)	N-Channel	-	200V	100A (Tc)	9.5 mOhm @ 20A, 10V	4V @ 250µA	129nC @ 10V	5220pF @ 100V	7.5V, 10V	±20V
	SUG90090E-GE3	单位 $2.71	获得报价	PDF RFQ	3,654 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC	ThunderFET®	Active	Tape & Reel (TR)	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	395W (Tc)	N-Channel	-	200V	100A (Tc)	9.5 mOhm @ 20A, 10V	4V @ 250µA	129nC @ 10V	5220pF @ 100V	7.5V, 10V	±20V
	IRF200P222	单位 $15.12	获得报价	PDF RFQ	3,380 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC	StrongIRFET™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	556W (Tc)	N-Channel	-	200V	182A (Tc)	6.6 mOhm @ 82A, 10V	4V @ 270µA	203nC @ 10V	9820pF @ 50V	10V	±20V
	IRFP4127PBF	单位 $5.99	获得报价	PDF RFQ	2,428 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 75A TO-247AC	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	341W (Tc)	N-Channel	-	200V	75A (Tc)	21 mOhm @ 44A, 10V	5V @ 250µA	150nC @ 10V	5380pF @ 50V	10V	±20V
	IRFP4227PBF	单位 $4.37	获得报价	PDF RFQ	1,523 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-40°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	330W (Tc)	N-Channel	-	200V	65A (Tc)	25 mOhm @ 46A, 10V	5V @ 250µA	98nC @ 10V	4600pF @ 25V	10V	±30V
	IRFP90N20DPBF	单位 $5.70	获得报价	PDF RFQ	3,501 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC	HEXFET®	Active	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	580W (Tc)	N-Channel	-	200V	94A (Tc)	23 mOhm @ 56A, 10V	5V @ 250µA	270nC @ 10V	6040pF @ 25V	10V	±30V
	IRFP4668PBF	单位 $5.30	获得报价	PDF RFQ	2,368 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	520W (Tc)	N-Channel	-	200V	130A (Tc)	9.7 mOhm @ 81A, 10V	5V @ 250µA	241nC @ 10V	10720pF @ 50V	10V	±30V
	IRFP260NPBF	单位 $2.89	获得报价	PDF RFQ	2,800 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC	HEXFET®	Active	Bulk	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	300W (Tc)	N-Channel	-	200V	50A (Tc)	40 mOhm @ 28A, 10V	4V @ 250µA	234nC @ 10V	4057pF @ 25V	10V	±20V
	IRFP250MPBF	单位 $1.94	获得报价	PDF RFQ	1,160 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC	HEXFET®	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247AC	214W (Tc)	N-Channel	-	200V	30A (Tc)	75 mOhm @ 18A, 10V	4V @ 250µA	123nC @ 10V	2159pF @ 25V	10V	±20V

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