- 系列 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,092
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK | QFET® | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | N-Channel | 600V | 2.4A (Tc) | 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V | 5V @ 250µA | 13nC @ 10V | 450pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,019
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK | SuperMESH™ | Not For New Designs | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 45W (Tc) | N-Channel | 600V | 2.4A (Tc) | 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V | 4.5V @ 50µA | 11.8nC @ 10V | 311pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,894
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V IPAK | - | Obsolete | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 61W (Tc) | N-Channel | 600V | 2.6A (Tc) | 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V | 4.5V @ 50µA | 12nC @ 10V | 312pF @ 25V | 10V | ±30V |